256기가비트 V낸드는 데이터를 저장하는 '3차원 셀(Cell)'을 기존(32단)보다 1.5배 더 쌓아 올리는 삼성전자의 3세대(48단) V낸드 기술이 적용된 업계 최고 용량의 메모리 칩이다.
256기가비트 V낸드는 칩 하나만으로도 스마트폰에 탑재하는 32기가바이트(GB) 용량의 메모리카드를 만들 수 있다.
또한 기존 128기가비트 낸드가 적용된 SSD와 동일 크기를 유지하면서 용량을 2배 높일 수 있어 '테라 SSD 대중화'를 위한 최적의 솔루션을 제공한다.
삼성전자는 현재까지 업계에서 유일하게 V낸드를 양산하고 있으며, 작년 8월 2세대(32단) 3비트 V낸드를 생산한지 1년만에 3세대 3비트 V낸드를 본격 양산함으로써 3차원 메모리 기술리더십을 더욱 확고히 했다.
3세대 V낸드는 '셀(Cell)'이 형성될 단층을 48단으로 쌓고 나서 약 18억개의 원형 홀을 수직으로 뚫은 다음, 총 853억개 이상의 셀을 고속 동작시키며, 각 '셀(Cell)'마다 3개의 데이터 (3비트)를 저장할 수 있어 총 2,560억개의 데이터를 읽고 쓴다.
3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀 구조와 48단 수직 적층 공정, 3비트 저장기술을 적용해 2세대 V낸드보다 데이터를 더욱 빠르게 저장하고, 소비 전력량을 30% 이상 줄였다.
삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 "3세대 V낸드 양산으로 글로벌 기업과 소비자들에게 더욱 편리한 대용량 고효율 스토리지 솔루션을 제공할 수 있게 됐다"고 말했다.
한편 삼성전자는 엔터프라이즈 및 데이터센터 시장을 더욱 빠르게 확대하기 위해 기존 2세대 32단 3비트 V낸드 기반의 대용량 SSD 모델을 글로벌 IT고객에게 공급한데 이어, 세계 각국의 현지 로컬 기업까지 공급을 확대 하는 등 용량과 성능을 높인 차세대 SSD 라인업을 지속적으로 출시할 예정이다.