삼성전자가 8세대 고대역폭메모리(HBM5)의 실물모형(목업)을 처음 공개하며 기술 고도화가 빠르게 이뤄지고 있음을 글로벌 시장에 알렸다.
삼성전자는 2일 대만 타이베이에서 열린 아시아 최대 IT 전시회 '컴퓨텍스 2026' 현장에서 HBM5 목업을 공개하고, 이 제품에 처음 적용될 열 관리 기술 'HPB'(Heat Path Block) 구조도 설명했다.
송재혁 삼성전자 CTO(최고기술책임자)는 "급변하는 AI 산업에 대응하기 위해서는 메모리·파운드리·로직·패키징까지 아우르는 토탈 설루션 경쟁력이 더욱 중요해지고 있다"며 "종합 예술과도 같은 AI 기술을 삼성전자가 종합 반도체 회사로서 충분히 서포트할 수 있다는 점을 이번 전시에서 강조했다"고 밝혔다.
삼성전자는 1c(10나노급 6세대) D램을 쌓아올린 HBM5에 2나노 베이스다이 공정을 최초로 적용할 계획이다. 현 세대 제품인 HBM4와 차세대 HBM4E에는 4나노 베이스다이 공정이 적용되고 있다.
삼성전자는 AI 메모리의 성능을 높이는 과정에서 발생할 수 있는 발열 문제를 해결하기 위한 기술인 HPB도 HBM5부터 본격 적용할 계획이다. 이 기술은 HBM4E 기반으로 검증을 완료한 것으로 전해졌다.
송 CTO는 해당 기술과 관련해 "HBM5에 첫 적용을 계획하고 있지만, 고객의 요구에 따라 적용 시점은 당길 수 있다"고 부연했다.
삼성전자는 행사 현장에서 업계 최초로 샘플 공급을 완료한 HBM4E의 웨이퍼와 칩셋도 공개했다. 해당 제품의 핀당 동작 속도는 14Gbps(초당 14기가비트)에서 최대 16Gbps까지 지원하며, 이는 전작 HBM4 대비 20% 이상 대폭 향상된 수치다. 이를 기반으로 HBM4E 1개는 1초에 3.6TB(테라바이트)에 달하는 데이터 이동시킬 수 있는 성능(대역폭)을 갖췄다. 대규모 언어 모델(LLM)과 차세대 AI 시스템의 연산 속도를 극대화 할 수 있는 최고 수준의 성능이다.