SK하이닉스가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4의 양산을 하반기부터 본격적으로 확대할 계획이다.
송현종 SK하이닉스 코퍼레이트 센터 사장은 29일 오전 열린 실적발표 콘퍼런스콜에서 "HBM4는 지속적인 제품 최적화를 통해 고객이 필요로 하는 동작 속도를 구현하면서도 업계 최고 수준의 전력 효율과 원가 경쟁력을 달성해 차별화된 기술 경쟁력을 입증했다"고 말했다.
이어 "2분기부터 양산 출하를 시작했으며, 하반기에는 생산을 본격적으로 확대할 계획"이라면서 "HBM4E는 상반기 기준 주요 고객사에 샘플을 공급했다"고 전했다. 그러면서 "HBM4E는 기술 서숙도와 양산 안정성을 갖춘 최적의 공정을 적용했으며, 이후 개발 일정도 순조롭게 진행될 것으로 보고 있다"고 밝혔다.
송 사장은 "D램은 2분기부터 1c나노 소캠2 제품의 공급을 본격화했다"고 전했다. 또 "지난 분기 321단 낸드플래시 제품이 낸드 생산의 최대 비중을 차지하게 됐으며, 계획대로 연말 국내 기판의 비중을 50%까지 확대할 예정"이라고 덧붙였다.