중국 CXMT 메모리 기술 뭐길래…삼전닉스 투심 '냉각'

CXMT '4F² 기반' 서버용 D램 출시 예고에
중국 메모리 기업 '기술 추격세' 부각
업계 전문가들은 "과한 의미 부여 불필요"
"추격 속도 위협적이지만, 좀 더 지켜봐야"

허페이 창신메모리(CXMT) 반도체 공장. 연합뉴스

중국 대표 메모리 반도체 기업인 창신메모리테크놀러지(CXMT)가 올해 안에 업계 최신 기술을 적용한 서버용 D램을 출시할 계획이라고 밝히면서, 중국 반도체 기술의 빠른 고도화가 한국 기업들을 위협하는 요인으로 재차 부각되고 있다.
 
반도체 전문가들은 해당 제품이 실제 출시되기 전까지는 기술 현황을 정확하게 판단하기는 어렵다는 신중론을 제시하면서도 CXMT의 기술 추격 속도는 경계할 만한 수준이라는 평가를 내놨다.
 
13일 반도체 업계에 따르면 차오칸위 CXMT 사장은 지난 10일 중국 상하이에서 열린 반도체 행사에서 연말까지 '4F²'(포에프스퀘어) 구조를 기반 삼은 차세대 서버용 D램 제품 'DDR5 RDIMM'을 내놓을 것이라고 발표했다.
 
F²는 데이터를 저장하는 셀의 면적을 의미한다. 4F² 기반 D램은 업계에서 널리 상용화된 6F²보다 셀의 면적이 작아, 성공적으로 양산 시 같은 웨이퍼에서 더 많은 양의 칩을 만들 수 있고, 동작 속도 등 성능 향상 효과도 꾀할 수 있다. 보다 좁은 면적에 트랜지스터를 배치하게 되면서, 수직으로 세우는 방식을 적용하는 게 특징이다. 
 
삼성전자와 SK하이닉스도 4F² D램 기술 로드맵을 공개했으며, 제품을 개발 중이다. 삼성전자의 제품 양산 시점을 2028년으로 예상하는 업계 관측도 있다.
 
이처럼 글로벌 메모리 투톱인 '삼전닉스'조차 개발 중인 차세대 서버용 D램을 연내 출시하겠다는 CXMT의 발표를 두고 반도체 전문가들 사이에서는 "선언적 발표일 가능성이 있다"는 신중한 평가가 나왔다.
 
이종환 상명대 시스템반도체학과 교수는 "아직은 CXMT의 제품 출시 예고가 이뤄진 상황이고, 실제 연내 양산이 이뤄질지는 두고 봐야 할 것"이라며 "트랜지스터를 수직으로 배치하면, 양산 구조 자체가 변화돼야 한다. 공정을 변화시켜 최적화까지 이루는 데에는 시간이 오래 걸린다"고 말했다.
 
이 교수는 그러면서 "현재 CXMT로서는 글로벌 메모리사들과 경쟁할 만한 기술력을 갖췄다는 데 메시지의 초점을 맞췄을 수 있다"며 "중국의 반도체 기술 추격 속도가 위협적이라는 판단은 필요하지만, 기술 발표에 너무 과하게 의미를 부여할 필요는 없다고 본다"고 덧붙였다.
 
김양팽 산업연구원 전문연구원도 "좀 더 지켜봐야 한다"며 "그간의 CXMT 발표들이 모두 사실이었다면, 한국 메모리 기업들과의 기술 격차도 크게 줄었어야 하는데 현실은 그렇지 않다"고 말했다.
 
다만 김 연구원 역시 "중국은 (미국의 견제 속에서) 첨단 장비가 없이도 메모리 기술을 개발하고 있다. 중국 기업들이 시장 점유율을 넓히다보면 기술도 일정 수준으로 축적될 것"이라며 "만약 미래에 첨단 장비가 중국 업계에 도입되거나, 중국 기업이 높은 수준의 제조 장비까지 만들어낸다면 한국과의 기술 격차가 순식간에 줄어들 수 있다. 긴장은 해야 하는 것"이라고 덧붙였다.
 
CXMT는 올해 들어 글로벌 시장에서의 영역도 공격적으로 넓히고 있다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 작년 1분기에 3%였던 CXMT의 글로벌 D램 시장 점유율(매출액 기준)은 올해 2분기 10%까지 상승했다. 삼성전자(38%), SK하이닉스(25%)와 격차는 크지만 가격 경쟁력을 앞세워 시장 영향력을 차근차근 확대하고 있는 것으로 분석된다.
 
한편 CXMT의 차세대 서버용 D램 출시 예고는 메모리 공급 증가와 경쟁 격화 우려를 자극하며 주요 글로벌 반도체 기업들의 주가에도 일정 수준 영향을 주는 모양새다. 미국 증시에 이어 한국 증시에서도 이날 주요 반도체주를 중심으로 주가가 약세를 보였다. 유가증권시장에서 삼성전자는 전장 대비 7.39% 하락한 23만 2천 원에, SK하이닉스는 10.09% 급락한 144만 3천 원에 거래를 마쳤다.

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