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삼성의 메모리 한계 돌파 키워드 'CUBE'…글로벌 기술 무대서 공개

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대만 타이베이 '세미콘 타이완 2026'서 전략 공개

최장석 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)이 1일 타이베이에서 열린 세미콘 타이완 2026에서 메모리 기술 한계 극복을 위한 'CUBE' 전략을 발표하는 모습. 삼성전자 제공최장석 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)이 1일 타이베이에서 열린 세미콘 타이완 2026에서 메모리 기술 한계 극복을 위한 'CUBE' 전략을 발표하는 모습. 삼성전자 제공
삼성전자가 글로벌 반도체 업계의 최신 기술이 공개되는 '세미콘 타이완 2026' 현장에서 메모리 기술 한계 극복을 위한 'CUBE' 전략을 발표해 주목받았다.

△Capacity(용량) △Utilization(최적화) △Bandwidth(대역폭) △Efficiency(효율)의 앞 글자를 딴 전략명으로, 해당 4가지 분야에서의 기술 혁신을 통해 글로벌 메모리 시장 주도권을 더욱 공고하게 다지겠다는 계획이다.
 
최장석 삼성전자 반도체(DS·디바이스솔루션)부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)은 세미콘 타이완 개막을 하루 앞둔 1일(현지시간) 대만 타이베이에서 사전 행사로 열린 '메모리 이그제큐티브 서밋' 무대의 기조연설자로 나서 이 같은 구상을 설명했다.
 
최 팀장은 우선 메모리 용량과 관련해 "더 이상 PCB(인쇄회로기판) 면적에 제한되지 않고, 보드 면적을 키우지 않고도 수직으로 확장해 용량을 늘릴 것"이라고 말했다. 칩을 수평 나열하면 공간을 많이 차지하는 만큼, 수직으로 쌓아 용량을 극대화한다는 의미다. 
 
그러면서 "3D(적층)는 단순히 쌓는 것이 아니라 각 층을 어떻게 활용하느냐가 핵심"이라며 "삼성은 데이터 처리 지연을 없애기 위해 로직·메모리 배치를 최적화하고 있다"고 덧붙였다.
 
그는 한 번에 얼마나 많은 데이터를 옮길 수 있는지를 의미하는 대역폭 향상 기술과 관련해서는 "다이(칩) 사이의 거리를 획기적으로 단축함으로써 수직 고속도로를 형성해 대역폭을 획기적으로 개선할 수 있다"고 설명했다. 또 "3D의 최종 목표는 단일 비트의 데이터를 이동시키는 데 필요한 에너지를 줄이는 것이며, 삼성은 구조적 효율성을 높여 와트당 성능을 극대화하고 있다"고 전력·열 효율 개선 노력도 소개했다.
 
실제로 삼성전자는 인공지능(AI)의 핵심 부품으로 꼽히는 고대역폭메모리(HBM)를 빠르게 진화시키면서 세대별로 용량과 대역폭, 전력 효율과 열 관리 기술 고도화에 집중해왔다. 이 기업은 지난 2월 6세대 제품 HBM4를 세계 최초로 양산 출하한 이후 3개월 만에 7세대 HBM4E 샘플도 업계에서 가장 먼저 고객사에 공급했다.
 
최장석 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)이 1일 타이베이에서 열린 세미콘 타이완 2026에서 메모리 기술 한계 극복을 위한 'CUBE' 전략을 발표하는 모습. 삼성전자 제공최장석 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)이 1일 타이베이에서 열린 세미콘 타이완 2026에서 메모리 기술 한계 극복을 위한 'CUBE' 전략을 발표하는 모습. 삼성전자 제공
삼성전자는 지난달 미국에서 열린 세계 최대 메모리·스토리지 전시회 'FMS 2026'에서 8세대 'HBM5'를 비롯해 'zHBM', 'zNAND-O' 등 차세대 3D 메모리 아키텍처 기술도 공개했다. AI 연산 수요 증가에 대응해 개발 중인 미래 제품들이다.
 
HBM5는 이전 세대 HBM4E 대비 성능을 두 배 끌어올릴 계획으로, 와트당 성능 20% 향상과 열 저항 20% 감소도 목표다.
 
zHBM은 AI 가속기 옆에 메모리를 배치하는 기존 HBM 구조에서 한 단계 나아가 AI 가속기 위에 HBM을 수직으로 쌓는 차세대 메모리 제품이다. 삼성전자는 zHBM 기반 차세대 인터페이스 시스템이 8세대 고대역폭메모리인 HBM5보다도 최대 8배 높은 성능을 제공하고, 전성비는 최대 3배 향상시키며 열 저항은 절반 이상 낮출 수 있다고 설명했다.
 
차세대 3D 낸드플래시 zNAND-O는 기존 수직 적층 기술과 TSV(실리콘관통전극)를 결합해 4단 또는 8단 칩을 하나로 쌓은 제품이다. 제품명 뒤 '-O'는 온디바이스 AI 환경에 최적화됐다는 의미다. 삼성전자 관계자는 이 제품에 대해 "디램보다 10배 높은 비트 밀도를 제공해 거대언어모델(LLM)에 필요한 대규모 용량을 지원하는 한편, 일반 낸드보다 7배 더 높은 읽기 대역폭과 전력 효율성을 제공한다"며 "디램과 낸드가 가진 한계를 극복하는 제품"이라고 소개했다. 제품 샘플은 오는 2028년에 나올 것으로 보인다.
 
삼성전자는 이 같은 기술 혁신을 기반으로 메모리 시장 리더십을 강화 중이다. 시장조사기관 카운터포인트리서치에 따르면 삼성전자는 올해 2분기 글로벌 디램 시장에서 매출 기준으로 점유율(39%) 1위를 기록했다. 또 다른 조사기관 트렌드포스 집계 결과 삼성전자는 2분기 낸드플래시 시장에도 매출 약 230억 6천만 달러, 점유율 29.3%로 글로벌 1위에 자리했다.
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