연합뉴스중국 메모리 기업들의 성장 속도가 반도체 업계에서 연일 부각되고 있다. 해당 기업들은 범용 메모리 제품 수요 흡수를 넘어, 고대역폭메모리(HBM)와 기업용 낸드플래시메모리(낸드) 등 고부가 제품 기술 고도화에도 주력하면서 몸집을 빠르게 키우는 중이다. 업계 선두주자인 삼성전자, SK하이닉스와의 기술 격차가 확연한 건 사실이지만, 이들 '투톱' 기업들로서는 중국 기업들의 추격세를 고려해 질주 속도를 더 올려야 하는 상황에 놓인 모양새다.
3일 업계에 따르면 중국의 대표 메모리 반도체 기업인 창신메모리테크놀러지(CXMT)는 5세대 고대역폭메모리인 HBM3E를 소량 생산 중인 것으로 알려졌다. 미국 IT전문매체인 디인포메이션은 중국 빅테크 알리바바의 자회사 T헤드 등이 CXMT의 HBM3E를 테스트하고 있다며 이 같이 보도했다. 이르면 내년에 해당 메모리를 탑재한 제품이 출시될 수 있다는 전망도 담겼다.
이전 세대 제품인 HBM3 연내 양산 추진 목표가 알려진지 얼마 안 돼 차세대 제품 테스트까지 이뤄지고 있다는 것으로, 한국 기업들이 사실상 장악 중인 고부가 제품군에서까지 기술 추격 속도를 끌어올리고 있다는 의미여서 주목받았다.
HBM 시장을 빠르게 선점했던 SK하이닉스의 경우 HBM3E 샘플 공급 시점이 2023년 8월이었다는 점을 감안하면 단순 계산 시 기술 격차는 약 3년이다. 게다가 CXMT의 HBM 수율(생산품 대비 양품 비율)이 매우 낮다는 점에서 현실적인 위협으로 보기는 아직 어렵다는 시각도 있다. 다만 한 업계 전문가는 "중국 기업의 경우 미국의 견제 하에서 최첨단 장비를 갖추지 못하고도 제품을 빠르게 개발 중이라는 점은 눈여겨봐야 한다"며 "그런 측면에서 기술력 자체만 놓고 보면 상당히 위협적"이라고 평가했다.
CXMT는 올해 들어 글로벌 시장에서의 영역도 공격적으로 넓히고 있다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 작년 1분기에 3%였던 CXMT의 글로벌 디램 시장 점유율(매출액 기준)은 올해 1분기 8%까지 상승했다. 올해 상반기 매출은 1503억 1천만 위안(약 31조 원)으로 전년 동기 대비 약 873% 증가했고, 순이익도 776억 500만 위안으로 흑자 전환에 성공했다.
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이 기업과 함께 중국 양대 메모리 기업으로 꼽히는 양쯔메모리테크놀러지(YMTC)는 낸드 분야에서 고속 성장 중이다. 인공지능(AI) 기술 고도화에 따라 다뤄야 할 데이터가 급격히 늘어난 만큼, 저장 장치인 낸드에 대한 글로벌 수요도 폭증하고 있다. 이에 한국 기업들 뿐 아니라 YMTC 역시 빛을 보고 있는 것이다.
특히 YMTC는 낸드 메모리를 붙여서 쌓는 '하이브리드 본딩' 기술 관련 특허도 다수 선점한 것으로 알려졌다. 이 기업은 올해 2분기 글로벌 낸드 시장에서 출하량 기준 14%의 점유율로 일본 키옥시아를 근소한 차이로 처음 제쳤다. 삼성전자(25%), SK하이닉스(22%·솔리다임 포함)에 이은 첫 3위 진입이다. CXMT보다도 YMTC의 추격세가 매섭다는 평가가 일각에서 나오는 배경이다. CXMT에 이어 최근 기업공개(IPO)를 준비 중인 YMTC는 내년 말까지 낸드 시장 1위로 올라서겠다는 목표를 이해관계자들에게 제시한 것으로도 전해졌다.
이처럼 안주하기 어려운 상황 속에서 삼성전자와 SK하이닉스도 계속 질주 중이다. 삼성전자는 지난 5월에 7세대 고대역폭메모리 HBM4E 제품 샘플을 세계 최초로 출하한 데 이어 차세대 HBM5를 개발 중이다. 또 AI 가속기 옆에 메모리를 배치하는 기존 HBM 구조에서 한 단계 나아가 AI 가속기 위에 HBM을 수직으로 쌓음으로써 성능을 획기적으로 높이는 zHBM 기술도 구체적으로 공개했다. 아울러 온디바이스 AI 환경에 최적화 된 3D 낸드플래시 'zNAND-O'도 2028년 샘플 출하를 목표로 개발하고 있다.
SK하이닉스도 6월에 HBM4E 샘플을 고객사에 공급했으며, 이 제품을 양산할 미국 내 첫 생산거점인 어드밴스드 패키징 공장(인디애나 팹) 기공식을 지난달 말 현지에서 개최했다. 이 기업은 특히 HBF(고대역폭플래시) 개발에도 집중하고 있다. HBF는 디램을 쌓아올려 만든 HBM처럼, 낸드를 수직으로 쌓아 많은 양의 데이터를 순식간에 전달하는 메모리다. 초고속 디램인 HBM과 대용량 저장장치인 SSD(솔리드스테이트드라이브) 사이에 놓이는 새로운 메모리 계층이다.
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