연합뉴스일본이 차세대 전력(파워)반도체 기판 핵심 소재 생산 능력을 대폭 확충하면서 해당 시장 공략에 나서고 있는 중국과 경쟁이 한층 가열될 전망이다.
8일 일본 니혼게이자이신문에 따르면 미쓰비시케미컬그룹과 일본제강소는 질화갈륨(GaN) 내년 생산 능력을 올해 대비 50% 늘리기로 했다.
두 회사가 공동 개발 중인 전력반도체용 GaN 기판은 기존 실리콘 소재보다 고전압을 잘 견디는 게 강점이다.
연합뉴스차세대 전력반도체 소재로 탄화규소(SiC)도 주목받고 있지만, GaN은 SiC보다 전류 제어 속도가 빨라 전력 손실을 최소화할 수 있다는 평가다.
이에 따라 EV(전기차) 고속 충전기와 인버터, 데이터센터 전원용 등에서 GaN 수요가 급증할 것으로 예상된다.
두 회사는 이에 대응하기 위해 일본제강소 홋카이도 무로란제작소의 기판 제조 설비를 확충하고, 미쓰비시케미컬 이바라키 거점의 가공 장비를 증설할 계획이다.
현재 두 회사는 4인치 기판으로 고객사 평가를 진행 중이며, 기판 대형화 추세에 맞춰 올해 안에 6인치, 2028년도에는 8인치 샘플 공급을 시작할 예정이다.
니혼게이자이신문은 "최근 중국 기업들이 GaN 시장 공략에 속도를 내는 가운데 두 회사는 선제적인 투자로 초기 시장 주도권을 확실히 쥐겠다는 구상"이라고 밝혔다.