이재용 삼성전자 회장이 첨단 복합 반도체 연구개발 센터 시설을 살펴보고 있다. 연합뉴스이재용 삼성전자 회장이 인공지능(AI) 시대 핵심 반도체인 고대역폭메모리(HBM)의 패키징(후공정) 담당 생산 거점인 충남 천안사업장을 23일 방문해 현장을 점검했다. 삼성전자의 최신 기술이 집약된 6세대 제품 HBM4가 글로벌 시장에서 상품성을 인정받고 있고, 패키징 기술의 중요성도 갈수록 부각되는 만큼 메모리 경쟁력 강화에 박차를 가하기 위한 현장 점검으로 풀이된다.
업계에 따르면 이 회장은 이날 천안사업장 C1·C2 라인을 찾아 사업장 운영과 생산 계획, 기술 개발 진행 상황 등에 대한 설명을 청취한 뒤, 방진복을 착용하고 HBM 생산 현황을 살펴봤다. 천안사업장은 삼성전자 HBM 첨단 패키징을 담당하는 핵심 생산 거점이다.
패키징은 전(前)공정 공장에서 생산된 칩을 제품 형태로 완성하고 품질을 최종 검증하는 단계로, 칩을 이어 성능을 향상시키는 공정도 포함된다. 최근 D램을 쌓아 올린 HBM 등 AI용 메모리 수요가 폭증하면서 패키징 기술은 더욱 중요해지고 있다.
이 회장의 천안사업장 방문은 HBM 수요 폭증 흐름 속에서 생산 경쟁력과 공급 대응 체계를 점검하고, 향후 사업 확대 전략을 세우기 위한 현장 경영 행보로 분석된다.
삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 HBM4 양산 출하에 성공하며 차세대 HBM 시장 선점에 나섰으며, 지난달에도 업계에서 처음으로 7세대 제품인 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다. 6세대 제품 양산과 차세대 제품 샘플 공급이 약 3개월 간격으로 이뤄지면서 삼성전자는 AI 메모리 시장에서 차세대 제품 개발과 공급 일정을 가장 빠르게 추진하고 있다는 평가를 받았다.
특히 HBM4는 양산 출하 약 4개월 만에 업계 최초로 누적 매출이 10억 달러(약 1조 5400억 원)를 돌파한 것으로 파악됐으며, 이달 말까지의 해당 제품 매출액은 12억 달러(약 1조 8470억 원)를 넘어설 것으로 전망된다.
삼성전자 HBM4에는 성능을 끌어올리기 위한 최신 초미세 공정이 적용됐다. 제품의 핵심 구성품인 D램은 최선단 1c(10나노급 6세대) 공정으로 만들어졌으며, D램을 떠받치며 전력과 신호를 제어하는 칩인 베이스다이에는 자체 4나노 파운드리 공정이 적용됐다. 1나노는 10억분의 1미터를 의미하며, 공정이 미세해질수록 성능은 올라간다.
그 결과 삼성전자의 HBM4의 동작 속도는 반도체표준협의기구(JEDEC)의 표준 속도인 8Gbps(초당 8기가비트)를 약 46% 웃도는 11.7Gbps 수준이며, 최대 13Gbps까지 구현이 가능하다는 게 관계자 설명이다. 이를 기반으로 해당 HBM4 1개는 1초에 3TB(테라바이트)에 달하는 데이터를 이동시킬 수 있는 성능(대역폭)을 갖췄다. 5GB(기가바이트)짜리 영화 600편을 1초에 전송할 수 있는 수준이다.